Seite drucken
DMG6601LVT-7
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
1 044 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,360 |
| 50+ | € 0,207 |
| 100+ | € 0,109 |
| 500+ | € 0,0923 |
| 1500+ | € 0,0817 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
€ 1,80 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMG6601LVT-7
Bestellnummer2543535
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.034ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.034ohm
Bauform - TransistorTSOT-26
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal850mW
Verlustleistung, p-Kanal850mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Complementary MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.034ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
850mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.034ohm
Bauform - Transistor
TSOT-26
Verlustleistung, n-Kanal
850mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
Produktnachverfolgung