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DMN2016UTS-13
Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.58 A, 8.58 A, 0.011 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,278 |
| 500+ | € 0,228 |
| 1000+ | € 0,208 |
| 5000+ | € 0,168 |
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Produktspezifikationen
HerstellerDIODES INC.
HerstellerteilenummerDMN2016UTS-13
Bestellnummer3944091RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal8.58A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.011ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.011ohm
Bauform - TransistorTSSOP
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal880mW
Verlustleistung, p-Kanal880mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.011ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
880mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
8.58A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.011ohm
Bauform - Transistor
TSSOP
Verlustleistung, n-Kanal
880mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung