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AIMBG120R010M1XTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, TO-263
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMBG120R010M1XTMA1
Bestellnummer4216495
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsAIMBG120R010M1, SP005411519
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 37,760 |
| 5+ | € 35,610 |
| 10+ | € 33,540 |
| 50+ | € 30,720 |
| 100+ | € 29,890 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerAIMBG120R010M1XTMA1
Bestellnummer4216495
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsAIMBG120R010M1, SP005411519
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id205A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0087ohm
Bauform - TransistorTO-263
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.1V
Verlustleistung882W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
205A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0087ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.1V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-263
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
882W
Produktpalette
CoolSiC Trench Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung