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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR106E6327HTSA1
Bestellnummer2726102
Auch bekannt alsBFR 106 E6327, SP000011044
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
5+ | € 0,213 |
50+ | € 0,146 |
250+ | € 0,116 |
1000+ | € 0,111 |
3000+ | € 0,093 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBFR106E6327HTSA1
Bestellnummer2726102
Auch bekannt alsBFR 106 E6327, SP000011044
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.16V
Übergangsfrequenz5GHz
Verlustleistung700mW
Dauerkollektorstrom210mA
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.70hFE
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
Produktbeschreibung
- Low noise silicon bipolar RF transistor
- High linearity low noise RF transistor
- 22dBm OP1dB and 31dBm OIP3 at 900MHz, 8V, 70mA
- For UHF/VHF applications
- Driver for multistage amplifiers
- For linear broadband and antenna amplifiers
- Collector design supports 5V supply voltage
- Qualification report according to AEC-Q101
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Übergangsfrequenz
5GHz
Dauerkollektorstrom
210mA
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
16V
Verlustleistung
700mW
Bauform - Transistor
SOT-23
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
70hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000002