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F46MR20W3M1HB11BPSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 135 A, 2 kV, 0.0081 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF46MR20W3M1HB11BPSA1
Bestellnummer4680825
ProduktpaletteEasyPACK Series
Auch bekannt alsF4-6MR20W3M1H_B11, SP005975717
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF46MR20W3M1HB11BPSA1
Bestellnummer4680825
ProduktpaletteEasyPACK Series
Auch bekannt alsF4-6MR20W3M1H_B11, SP005975717
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id135A
Drain-Source-Spannung Vds2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0081ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins50Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.15V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
135A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0081ohm
Anzahl der Pins
50Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.15V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
-
Produktpalette
EasyPACK Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung