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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFP15R12W1T4_B3
Bestellnummer1833569
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Auch bekannt alsSP000255356
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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Menge | |
---|---|
1+ | € 20,680 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 20,68 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFP15R12W1T4_B3
Bestellnummer1833569
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
Auch bekannt alsSP000255356
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationPIM
Wandlerpolaritätn-Kanal
DC-Kollektorstrom15A
Dauerkollektorstrom15A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.85V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.85V
Verlustleistung130W
Verlustleistung Pd130W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModule
IGBT-AnschlussEinpressmontage
Anzahl der Pins20Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieIGBT 4
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteCompute Module 3+ Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
The FP15R12W1T4_B3 is an EasyPIM™ 1B 3-phase rectifier IGBT Module with Trench/field-stop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and NTC (without brake chopper). It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.
- Low switching losses
- V(CEsat) with positive temperature coefficient
- Al2O₃ substrate with low thermal resistance
- Compact design
- Solder contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Anwendungen
Power-Management, HLK, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
PIM
DC-Kollektorstrom
15A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.85V
Verlustleistung
130W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauerkollektorstrom
15A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.85V
Verlustleistung Pd
130W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Module
Anzahl der Pins
20Pin(s)
IGBT-Technologie
IGBT 4
Produktpalette
Compute Module 3+ Series
Technische Dokumente (3)
Alternativen für FP15R12W1T4_B3
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.024
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