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IDD04SG60CXTMA2
SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDD04SG60CXTMA2
Bestellnummer2895616
ProduktpalettethinQ Gen III Series
Auch bekannt alsIDD04SG60C, SP001633156
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,900 |
| 10+ | € 1,360 |
| 100+ | € 1,100 |
| 500+ | € 0,913 |
| 1000+ | € 0,831 |
| 5000+ | € 0,763 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDD04SG60CXTMA2
Bestellnummer2895616
ProduktpalettethinQ Gen III Series
Auch bekannt alsIDD04SG60C, SP001633156
Technisches Datenblatt
ProduktpalettethinQ Gen III Series
DiodenkonfigurationEinfach
Wiederkehrende Spitzensperrspannung600V
Durchschnittlicher Durchlassstrom4A
Kapazitive Gesamtladung4.5nC
Bauform - DiodeTO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageOberflächenmontage
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IDD04SG60CXTMA2 is a 3rd generation thinQ!™ SiC schottky diode. Application includes SMPS e.g.; CCM PFC, motor drives, solar applications, UPS.
- Revolutionary semiconductor material silicon carbide
- Switching behaviour benchmark
- No reverse recovery / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- High surge current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Optimized for high temperature operation, lowest figure of merit QC/IF
- Repetitive peak reverse voltage is 600V (T j=25°C), total capacitive charge is 4.5nC (typ,T j=150°C)
- Continuous forward current is 4A (T C<lt/>130°C)
- PG-TO252-3 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Technische Spezifikationen
Produktpalette
thinQ Gen III Series
Wiederkehrende Spitzensperrspannung
600V
Kapazitive Gesamtladung
4.5nC
Anzahl der Pins
3 Pins
Diodenmontage
Oberflächenmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diodenkonfiguration
Einfach
Durchschnittlicher Durchlassstrom
4A
Bauform - Diode
TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003