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IGC033S101XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC033S101XTMA1
Bestellnummer4640390RL
Auch bekannt alsIGC033S101, SP005751570
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 1,950 |
| 500+ | € 1,680 |
| 1000+ | € 1,550 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC033S101XTMA1
Bestellnummer4640390RL
Auch bekannt alsIGC033S101, SP005751570
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id76A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0033ohm
Gate-Ladung, typ.11nC
Anzahl der Pins6Pin(s)
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IGC033S101XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- High switching frequency
- No reverse recovery charge
- Reverse conduction capability
- Low gate charge, low output charge and qualified according to JEDEC
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin VSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0033ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
76A
Gate-Ladung, typ.
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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