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IGD70R140D2SAUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.17 ohm, 1.9 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGD70R140D2SAUMA1
Bestellnummer4749216
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsSP006085341 and IGD70R140D2S
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,570 |
| 10+ | € 1,670 |
| 100+ | € 1,210 |
| 500+ | € 1,050 |
| 1000+ | € 0,929 |
| 5000+ | € 0,821 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 2,57 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGD70R140D2SAUMA1
Bestellnummer4749216
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsSP006085341 and IGD70R140D2S
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.17ohm
Gate-Ladung, typ.1.9nC
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.17ohm
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
10A
Gate-Ladung, typ.
1.9nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Austria
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Austria
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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