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IGLD65R055D2AUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLD65R055D2AUMA1
Bestellnummer4680830RL
Auch bekannt alsIGLD65R055D2, SP005825087
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | € 5,370 |
| 1000+ | € 4,980 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLD65R055D2AUMA1
Bestellnummer4680830RL
Auch bekannt alsIGLD65R055D2, SP005825087
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Gate-Ladung, typ.4.7nC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
20A
Gate-Ladung, typ.
4.7nC
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung