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IGLR70R270D2SXUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR70R270D2SXUMA1
Bestellnummer4694675
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR70R270D2S, SP006123216
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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| 10+ | € 1,340 |
| 100+ | € 0,929 |
| 500+ | € 0,787 |
| 1000+ | € 0,670 |
| 5000+ | € 0,571 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR70R270D2SXUMA1
Bestellnummer4694675
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR70R270D2S, SP006123216
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.33ohm
Gate-Ladung, typ.1nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IGLR70R270D2SXUMA1 is a CoolGaN™ G5 highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion at 700V. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using 200mm (8-inch) wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. It is ideal for consumer applications like chargers, adapters, TV power, and home appliances.
- Qualified according to JEDEC standard, 2kV HBM ESD standards
- Enhancement mode transistor, ultra‑fast switching, no reverse‑recovery charge
- Capable of reverse conduction, low gate and output charge, superior commutation ruggedness
- Normally OFF transistor technology ensures safe operation
- Enables rapid and precise power delivery control
- Improves system efficiency and reliability
- Ensures robust performance under challenging conditions
- Drain‑source on‑state resistance is 0.270 ohm typ at IG =5.6mA; ID =1.7A; Tj =25°C
- PG‑TSON‑8 package
- Operating junction temperature range from ‑40 to 150°C
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.33ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
7.3A
Gate-Ladung, typ.
1nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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