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IGLT65R035D2ATMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R035D2ATMA1
Bestellnummer4573849
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R035D2, SP005918703
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 12,120 |
| 5+ | € 10,980 |
| 10+ | € 9,840 |
| 50+ | € 8,760 |
| 100+ | € 8,390 |
| 250+ | € 7,980 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R035D2ATMA1
Bestellnummer4573849
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R035D2, SP005918703
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id47A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.042ohm
Gate-Ladung, typ.7.7nC
Bauform - TransistorHDSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins16Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.042ohm
Bauform - Transistor
HDSOP
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
47A
Gate-Ladung, typ.
7.7nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung