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IMBF170R650M1XTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 3,650 |
| 100+ | € 2,620 |
| 500+ | € 2,190 |
| 1000+ | € 2,170 |
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Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBF170R650M1XTMA1
Bestellnummer3577331
ProduktpaletteCoolSiC
Auch bekannt alsIMBF170R650M1, SP002739686
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id7.4A
Drain-Source-Spannung Vds1.7kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.526ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung88W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
7.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.526ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.7kV
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
88W
Produktpalette
CoolSiC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003
Produktnachverfolgung