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IMBG120R030M1HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG120R030M1HXTMA1
Bestellnummer3582461RL
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsIMBG120R030M1H, SP004463784
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 10,290 |
| 50+ | € 9,080 |
| 100+ | € 7,870 |
| 250+ | € 7,710 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG120R030M1HXTMA1
Bestellnummer3582461RL
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsIMBG120R030M1H, SP004463784
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id56A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.041ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.03ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.7V
Verlustleistung300W
Verlustleistung Pd300W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Series
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.03ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.7V
Verlustleistung Pd
300W
Produktpalette
CoolSiC Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
56A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.041ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
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Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001959
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