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IMBG120R140M1HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG120R140M1HXTMA1
Bestellnummer3582465RL
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsIMBG120R140M1H, SP004463792
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 3,350 |
| 500+ | € 2,940 |
| 1000+ | € 2,930 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG120R140M1HXTMA1
Bestellnummer3582465RL
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsIMBG120R140M1H, SP004463792
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id18A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.189ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.14ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.7V
Verlustleistung107W
Verlustleistung Pd107W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.14ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.7V
Verlustleistung Pd
107W
Produktpalette
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
18A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.189ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
107W
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
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Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001588
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