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IMCQ120R034M2HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, HDSOP
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMCQ120R034M2HXTMA1
Bestellnummer4695755
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsIMCQ120R034M2H, SP006017347
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 10,910 |
| 5+ | € 9,730 |
| 10+ | € 8,540 |
| 50+ | € 7,830 |
| 100+ | € 7,120 |
| 250+ | € 6,980 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMCQ120R034M2HXTMA1
Bestellnummer4695755
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsIMCQ120R034M2H, SP006017347
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id64A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.034ohm
Bauform - TransistorHDSOP
Anzahl der Pins22Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.1V
Verlustleistung326W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IMCQ120R034M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 45A at TC = 100°C
- RDS(on) = 34mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.034ohm
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.1V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
HDSOP
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
326W
Produktpalette
CoolSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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