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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMT65R022M1HXUMA1
Bestellnummer4228381
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsIMT65R022M1H, SP005716811
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 13,400 |
5+ | € 11,610 |
10+ | € 9,810 |
50+ | € 8,930 |
100+ | € 8,040 |
250+ | € 7,880 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMT65R022M1HXUMA1
Bestellnummer4228381
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsIMT65R022M1H, SP005716811
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id79A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.022ohm
Bauform - TransistorHSOF
Anzahl der Pins8Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.7V
Verlustleistung375W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
79A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.022ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.7V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
375W
Produktpalette
CoolSiC Trench Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung