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IMW65R072M1HXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW65R072M1HXKSA1
Bestellnummer3500945
ProduktpaletteCoolSiC M1
Auch bekannt alsIMW65R072M1H, SP005398438
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 7,280 |
| 5+ | € 6,710 |
| 10+ | € 6,130 |
| 50+ | € 3,450 |
| 100+ | € 3,330 |
| 250+ | € 3,320 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW65R072M1HXKSA1
Bestellnummer3500945
ProduktpaletteCoolSiC M1
Auch bekannt alsIMW65R072M1H, SP005398438
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id26A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.072ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung96W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolSiC M1
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.072ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
96W
Produktpalette
CoolSiC M1
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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