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IMZ120R030M1HXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 14,420 |
| 50+ | € 9,950 |
| 100+ | € 9,370 |
| 250+ | € 9,360 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMZ120R030M1HXKSA1
Bestellnummer3223684
ProduktpaletteCoolSiC
Auch bekannt alsIMZ120R030M1H, SP001727394
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id56A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung227W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
56A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
227W
Produktpalette
CoolSiC
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IMZ120R030M1HXKSA1
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung