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IMZA120R007M1HXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMZA120R007M1HXKSA1
Bestellnummer3958244
ProduktpaletteProduktreihe CoolSiC Trench
Auch bekannt alsSP005425973, IMZA120R007M1H
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 48,600 |
| 5+ | € 45,960 |
| 10+ | € 43,310 |
| 50+ | € 42,440 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMZA120R007M1HXKSA1
Bestellnummer3958244
ProduktpaletteProduktreihe CoolSiC Trench
Auch bekannt alsSP005425973, IMZA120R007M1H
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id225A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.007ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.2V
Verlustleistung750W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteProduktreihe CoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
225A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.007ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.2V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
750W
Produktpalette
Produktreihe CoolSiC Trench
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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