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IPG20N06S2L35AATMA1
Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPG20N06S2L35AATMA1
Bestellnummer2781206RL
ProduktpaletteOptiMOS Series
Auch bekannt alsIPG20N06S2L-35A, SP001023838
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 14 Woche(n)
| Menge | |
|---|---|
| 5000+ | € 0,459 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5000
Mehrere: 5000
€ 2.300,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPG20N06S2L35AATMA1
Bestellnummer2781206RL
ProduktpaletteOptiMOS Series
Auch bekannt alsIPG20N06S2L-35A, SP001023838
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal55V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal55V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.028ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.028ohm
Bauform - TransistorTDSON
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal65W
Verlustleistung, p-Kanal65W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS Series
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- Feasible for automatic optical inspection (AOI)
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
55V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.028ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
65W
Produktpalette
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
55V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.028ohm
Bauform - Transistor
TDSON
Verlustleistung, n-Kanal
65W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000643