Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF9358TRPBF
Bestellnummer2577154RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001575404
Technisches Datenblatt
41 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | |
---|---|
50+ | € 0,863 |
250+ | € 0,681 |
1000+ | € 0,489 |
2000+ | € 0,469 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
€ 91,30 (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von € 5,00 an
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF9358TRPBF
Bestellnummer2577154RL
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsSP001575404
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal9.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.013ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.013ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal2W
Verlustleistung, p-Kanal2W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IRF9358TRPBF ist ein zweifacher p-Kanal-MOSFET zur Verwendung mit Lade- und Entladeschalter für Notebook-Anwendungen.
- Herstellerübergreifende Kompatibilität
- Halogenfrei
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.013ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
2W
Produktpalette
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.013ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung