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SPD04N80C3ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPD04N80C3ATMA1
Bestellnummer1664108RL
Auch bekannt alsSPD04N80C3, SP001117768
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,923 |
| 500+ | € 0,782 |
| 1000+ | € 0,638 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPD04N80C3ATMA1
Bestellnummer1664108RL
Auch bekannt alsSPD04N80C3, SP001117768
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds800V
Dauer-Drainstrom Id4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.1ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung63W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Der SPD04N80C3ATMA1 ist ein CoolMOS™-Leistungstransistor, der für industrielle Anwendungen mit hoher DC-Bulk-Spannung sowie für Schaltanwendungen (z. B. Flusswandler mit aktiver Begrenzung) ausgelegt ist. Typische Anwendungen umfassen: Verbraucherelektronik, PC-Stromversorgung, Adapter, Beleuchtung, Solaranwendungen.
- Neue, revolutionäre Hochspannungstechnologie
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten; hohe Spitzenstrombelastbarkeit
- Vollständig nach JEDEC qualifiziert für Industrieanwendungen
- Äußerst niedrige Gate-Ladung; äußerst geringe effektive Kapazitäten
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte; erstklassiges Preis-Leistungs-Verhältnis
- Hohe Zuverlässigkeit; benutzerfreundliche Anwendung
- Drain-Source-Durchbruchspannung: 800V bei VGS=0V, ID=250µA
- Drain-Source-Einschaltwiderstand: typ. 1.3 Ohm bei VGS=10V, ID=2.5A, Tj=25°C
- Gate-Ladung, insgesamt: typ. 23nC bei VDD=640V, ID=4A, VGS=0 bis 10V
- PG-TO252-3-Gehäuse; Betriebs- und Lagertemperatur: -55°C bis 150°C
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
63W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
800V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.1ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für SPD04N80C3ATMA1
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
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