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IXTN102N65X2
MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTN102N65X2
Bestellnummer2674786
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 29,300 |
| 5+ | € 27,840 |
| 10+ | € 20,580 |
| 50+ | € 20,170 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTN102N65X2
Bestellnummer2674786
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id76A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung595W
Verlustleistung Pd595W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCLead (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Anwendungen
Medizinelektronik
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
76A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
595W
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.03ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung Pd
595W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03
Produktnachverfolgung