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NSF030120D7A0J
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 17,780 |
| 50+ | € 16,580 |
| 100+ | € 15,380 |
| 250+ | € 14,900 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNSF030120D7A0J
Bestellnummer4416136RL
Technisches Datenblatt
Dauer-Drainstrom Id67A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.045ohm
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.9V
Verlustleistung306W
Betriebstemperatur, max.175°C
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Dauer-Drainstrom Id
67A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
306W
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.9V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001498
Produktnachverfolgung