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NX7002BKXBZ
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 260 mA, 260 mA, 2.2 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerNX7002BKXBZ
Bestellnummer2498565RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal260mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal2.2ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal2.2ohm
Bauform - TransistorDFN1010B
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal285mW
Verlustleistung, p-Kanal285mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
2.2ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
285mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
2.2ohm
Bauform - Transistor
DFN1010B
Verlustleistung, n-Kanal
285mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00007
Produktnachverfolgung