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PMDXB1200UPEZ
Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,247 |
| 100+ | € 0,132 |
| 500+ | € 0,118 |
| 1000+ | € 0,0935 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMDXB1200UPEZ
Bestellnummer2498566
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal30V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1.2ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1.2ohm
Bauform - TransistorDFN1010B
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal285mW
Verlustleistung, p-Kanal285mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1.2ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
285mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1.2ohm
Bauform - Transistor
DFN1010B
Verlustleistung, n-Kanal
285mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00007
Produktnachverfolgung