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PMGD290UCEAX
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,447 |
| 10+ | € 0,281 |
| 100+ | € 0,179 |
| 500+ | € 0,134 |
| 1000+ | € 0,110 |
| 5000+ | € 0,0904 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPMGD290UCEAX
Bestellnummer2357127
Technisches Datenblatt
KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal725mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.29ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.29ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal445mW
Verlustleistung, p-Kanal445mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell PMGD290UCEA handelt es sich um einen komplementären n/p-Kanal-FET (Anreicherungstyp) in einem sehr kleinen Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Dieser FET verwendet die Trench MOSFET-Technologie und eignet sich für Relaistreiber, High-Speed-Leitungstreiber sowie Low-Side-Lastschalt- und Schaltanwendungen.
- Sehr schnelles Schaltverhalten
Anwendungen
Industrie, Fahrzeugelektronik, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Komplementärer n- und p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.29ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
445mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.29ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
445mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001