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Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerMRFE6VS25NR1
Bestellnummer2776252
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds133VDC
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung-
Betriebsfrequenz, min.1.8MHz
Betriebsfrequenz, max.2000MHz
Bauform - TransistorTO-270
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.225°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageFlanschklemme
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
133VDC
Verlustleistung
-
Betriebsfrequenz, max.
2000MHz
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
1.8MHz
Bauform - Transistor
TO-270
Betriebstemperatur, max.
225°C
Transistormontage
Flanschklemme
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003