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2N7002DW
Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
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| Menge | |
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| 500+ | € 0,128 |
| 1500+ | € 0,116 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N7002DW
Bestellnummer2464117RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal60V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal115mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1.6ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1.6ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal200mW
Verlustleistung, p-Kanal200mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell 2N7002DW handelt es sich um einen N-Kanal-FET (Anreicherungstyp) mit niedrigem Durchgangswiderstand, niedriger Gate-Schwellenspannung, niedriger Eingangskapazität, hoher Schaltfrequenz und niedrigem I/O-Leckstrom.
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
1.6ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
200mW
Produktpalette
-
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
1.6ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
200mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N7002DW
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.003629