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2SD1803S-H.
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SD1803S-H.
Bestellnummer3615239
Produktpalette2SD1803
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom5A
Verlustleistung20W
Bauform - TransistorTO-251 (IPAK)
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz180MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.140hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette2SD1803
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
5A
Bauform - Transistor
TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
140hFE
Produktpalette
2SD1803
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
180MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1