FCD4N60TM
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 2500+ | € 0,627 |
| 7500+ | € 0,626 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FCD4N60TM handelt es sich um einen n-Kanal-SuperFET®-Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der eine Ladungsausgleich-Technologie verwendet und einen äußerst niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Diese Technologie ist dafür ausgelegt, die Leitungsverluste zu minimieren, eine hervorragende Schaltleistung zu bieten und für ein besseres Avalanche- und dV/dt-Verhalten zu sorgen. Daher eignet sich der Baustein der Produktreihe SuperFET hervorragend für Schaltanwendungen wie PFC, Server/Telekom, FPD-TV, ATX und Industrie.
- Ultraniedrige Gate-Ladung (Qg = 12.8nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (Coss.eff = 32pF)
- 100% Avalanche-getestet
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Beleuchtung, Alternative Energien
Technische Spezifikationen
n-Kanal
3.9A
TO-252 (DPAK)
10V
50W
150°C
-
600V
1ohm
Oberflächenmontage
5V
3Pin(s)
SuperFET
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat