FCD4N60TM
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,980 |
| 10+ | € 1,340 |
| 100+ | € 0,897 |
| 500+ | € 0,751 |
| 1000+ | € 0,692 |
| 5000+ | € 0,625 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FCD4N60TM handelt es sich um einen n-Kanal-SuperFET®-Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der eine Ladungsausgleich-Technologie verwendet und einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Diese Technologie ist dafür ausgelegt, die Leitungsverluste zu minimieren, eine hervorragende Schaltleistung zu bieten und für ein besseres Avalanche- und dV/dt-Verhalten zu sorgen. Daher eignet sich der Baustein der Produktreihe SuperFET hervorragend für Schaltanwendungen wie AC/DC-Schaltnetzteile, Solarwechselrichter und LCD-/LED-/Plasmabildschirm-Beleuchtung.
- Ultraniedrige Gate-Ladung (Qg = 12.8nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (Coss.eff = 32pF)
- 100% Avalanche-getestet
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Kommunikation & Netzwerke, Beleuchtung, Alternative Energien
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
n-Kanal
3.9A
TO-252 (DPAK)
10V
50W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
600V
1ohm
Oberflächenmontage
5V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat