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FDG6303N
Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,101 |
| 9000+ | € 0,0972 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDG6303N
Bestellnummer2438439
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal25V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal500mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.34ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorSC-70
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal300mW
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDG6303N handelt es sich um einen zweifachen n-Kanal-Logikpegel-MOSFET (Anreicherungstyp) mit DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte. Dieser Prozess wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu minimieren. Dieser Baustein ist speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für digitale Bipolartransistoren und Kleinsignal-MOSFETs ausgelegt.
- Sehr niedrige Gate-Treiber-Anforderungen ermöglichen direkten Betrieb in 3V-Schaltkreisen (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-Source-Zener für ESD-Festigkeit
- Kompaktes SMD-Gehäuse gemäß Industriestandard
- Gate/Source-Spannung: -0.5 bis 8V
- Dauer-Drain-/Ausgangsstrom: 0.5A
- Gepulster Drain-/Ausgangsstrom: 1.5A
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.34ohm
Bauform - Transistor
SC-70
Verlustleistung, n-Kanal
300mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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