Seite drucken
FDN337N
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
21 000 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,169 |
| 9000+ | € 0,155 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
€ 507,00 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDN337N
Bestellnummer2323185
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.054ohm
Bauform - TransistorSuperSOT
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.700mV
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDN337N ist ein n-Kanal-Logikpegel-Anreicherungs-FET in superSOT-3-Bauform. Dieser Baustein verfügt über eine hohe Zelldichte sowie über die proprietäre DMOS-Technologie, die speziell entwickelt wurde, um den Durchgangswiderstand zu minimieren. Damit eignet sich dieser Transistor für Niederspannungsanwendungen in Notebooks, Mobiltelefonen, PCMCIA-Schnittstellenkarten und anderen batteriebetriebenen Schaltungen, in denen hohe Schaltfrequenzen und ein geringer Leistungsverlust in einem sehr kompakten SMD-Gehäuse erforderlich sind.
- Design mit hoher Zelldichte für äußerst niedrigen Durchgangswiderstand (Rds(on))
- Minimaler Durchgangswiderstand und maximale DC-Strombelastbarkeit
- Drain/Source-Spannung (Vds): 30V
- Gate/Source-Spannung: ± 8V
- Geringer Durchgangswiderstand bei Vgs = 4.5V: 65 mOhm
- Dauer-Drainstrom: 2.2A
- Verlustleistung, max.: 500mW
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.2A
Bauform - Transistor
SuperSOT
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.054ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
700mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000036
Produktnachverfolgung