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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD45H11T4G
Bestellnummer2441288
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauer-Kollektorstrom8A
Verlustleistung20W
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz90MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJD45H11T4G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Electrically similar to popular D44H/D45H series
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik, Signalverarbeitung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
8A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
90MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD45H11T4G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000473
Produktnachverfolgung