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NDC7001C

Name: Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
Brand: ONSEMI
SKU: 2323212
Availability: OutOfStock

Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerNDC7001C

Bestellnummer2323212

Technisches Datenblatt

Data Sheet

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Produktspezifikationen

HerstellerONSEMI

HerstellerteilenummerNDC7001C

Bestellnummer2323212

Technisches Datenblatt

Data Sheet

KanaltypKomplementärer n- und p-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal50V

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal50V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal340mA

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal340mA

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal1ohm

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal1ohm

Bauform - TransistorSuperSOT

Anzahl der Pins6Pin(s)

Verlustleistung, n-Kanal700mW

Verlustleistung, p-Kanal700mW

Betriebstemperatur, max.150°C

Produktpalette-

Qualifikation-

MSLMSL 1 - unbegrenzt

SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)

Produktbeschreibung

NDC7001C ist ein zweifacher n/p-Kanal-FET (Anreicherungstyp), der mit der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dank dieses Prozesses kann der Durchlasswiderstand minimiert werden, während eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung gewährleistet werden kann. Dieser Baustein eignet sich besonders für Schalt- und Stromversorgungsanwendungen mit niedrigem Strom und niedriger Spannung.

Hoher Sättigungsstrom
Design mit hoher Zelldichte für niedrigen Durchgangswiderstand (RDS(ON))
Design mit Leiterrahmen aus Kupfer für überragende thermische und elektrische Eigenschaften

Anwendungen

Industrie, Power-Management

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.

Technische Spezifikationen

Kanaltyp

Komplementärer n- und p-Kanal

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal

50V

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal

340mA

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal

1ohm

Anzahl der Pins

6Pin(s)

Verlustleistung, p-Kanal

700mW

Produktpalette

MSL

MSL 1 - unbegrenzt

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal

50V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal

340mA

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal

1ohm

Bauform - Transistor

SuperSOT

Verlustleistung, n-Kanal

700mW

Betriebstemperatur, max.

150°C

Qualifikation

SVHC

No SVHC (23-Jan-2024)

Technische Dokumente (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.000041

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