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NVHL080N120SC1
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVHL080N120SC1
Bestellnummer3018978
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 11,530 |
| 5+ | € 10,450 |
| 10+ | € 9,360 |
| 50+ | € 8,620 |
| 100+ | € 8,520 |
| 250+ | € 8,410 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVHL080N120SC1
Bestellnummer3018978
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id44A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung348W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
Produktbeschreibung
Der NVHL080N120SC1 ist ein Siliziumkarbid-MOSFET (SiC). Typische Anwendungen umfassen: On-Board-Ladegeräte in Fahrzeugen, Kfz-DC/DC-Wandler für EV/HEV.
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- 100% UIL-getestet
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss = 80pF)
- Drain/Source-Spannung: 1200V (TJ = 25°C)
- Kontinuierlicher Drainstrom, RJC: 31A (TC = 25°C)
- Verlustleistung, RJC: 89W (TC = 100°C)
- Stoßdrainstrombelastbarkeit, Einzelimpuls: 132A (TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7 Ohm)
- Sperrschichttemperatur, Betrieb und Lagerung: -55°C bis +175°C
- Bauform TO247-3L
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
348W
Produktpalette
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0007
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