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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVHL080N120SC1A
Bestellnummer3528518
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | € 12,340 |
5+ | € 12,330 |
10+ | € 12,320 |
50+ | € 8,960 |
100+ | € 8,950 |
250+ | € 8,380 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVHL080N120SC1A
Bestellnummer3528518
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id31A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.08ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.7V
Verlustleistung178W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
31A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.08ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.7V
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
178W
Produktpalette
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
Produktnachverfolgung