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NVMFD5C446NLT1G
Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNVMFD5C446NLT1G
Bestellnummer2835598RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal40V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal145A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0022ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.0022ohm
Bauform - TransistorDFN
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal125W
Verlustleistung, p-Kanal125W
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
NVMFD5C446NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -5.2mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 2.2mohm typical at (VGS = 10V, ID = 20A)
- Input capacitance is 3170pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 7nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V; ID = 50A)
- Turn-on delay time is 14.8ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V, ID = 5A, RG = 1 ohm)
- Rise time is 16.8ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V, ID = 5A, RG = 1 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.0022ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
125W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0022ohm
Bauform - Transistor
DFN
Verlustleistung, n-Kanal
125W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012