Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH40T120L3Q1SG
Bestellnummer3265492
ProduktpaletteNXH40T120L3Q1
Technisches Datenblatt
17 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | |
---|---|
1+ | € 93,340 |
5+ | € 81,670 |
10+ | € 67,670 |
50+ | € 60,670 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 93,34 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH40T120L3Q1SG
Bestellnummer3265492
ProduktpaletteNXH40T120L3Q1
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationPIM-Halbbrücken-Wechselrichter
Dauerkollektorstrom42A
DC-Kollektorstrom42A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.85V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.85V
Verlustleistung146W
Verlustleistung Pd146W
Sperrschichttemperatur Tj, max.175°C
Betriebstemperatur, max.175°C
Bauform - TransistorPIM
IGBT-AnschlussLötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
IGBT-TechnologieTrench/Feldstop
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteNXH40T120L3Q1
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
DC-Kollektorstrom
42A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.85V
Verlustleistung Pd
146W
Betriebstemperatur, max.
175°C
IGBT-Anschluss
Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dauerkollektorstrom
42A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.85V
Verlustleistung
146W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
175°C
Bauform - Transistor
PIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
IGBT-Technologie
Trench/Feldstop
Produktpalette
NXH40T120L3Q1
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung