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FDG6304P
Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,696 |
| 50+ | € 0,441 |
| 100+ | € 0,297 |
| 500+ | € 0,232 |
| 1500+ | € 0,206 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDG6304P
Bestellnummer2453405
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal25V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.85ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.85ohm
Bauform - TransistorSC-70
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal300mW
Verlustleistung, p-Kanal300mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
25V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.85ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
300mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
25V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.85ohm
Bauform - Transistor
SC-70
Verlustleistung, n-Kanal
300mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000028