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FDPF10N60NZ
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.64 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDPF10N60NZ
Bestellnummer2575373
ProduktpaletteUniFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.64ohm
Bauform - TransistorTO-220F
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung640mV
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung38W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteUniFET
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
Alternativen für FDPF10N60NZ
2 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
- Suitable for LCD/LED/PDP TV, lighting and uninterruptible power supply
- Low gate charge (Typ. 23nC)
- 100% avalanche
- Improved dv/dt capability
- ESD improved capability
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
10A
Bauform - Transistor
TO-220F
Rds(on)-Prüfspannung
640mV
Verlustleistung
38W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.64ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
UniFET
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007862