FDS4559
Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 2500+ | € 0,327 |
| 7500+ | € 0,303 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
FDS4559 ist ein komplementärer MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench-Verfahrens hergestellt wird. Dieses Verfahren wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung beizubehalten und so eine herausragende Schaltleistung zu erreichen. Dieser MOSFET eignet sich für Wechselrichter für LCD-Hintergrundbeleuchtung.
Anwendungen
Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Komplementärer n- und p-Kanal
60V
4.5A
0.055ohm
8Pin(s)
2W
-
MSL 1 - unbegrenzt
60V
4.5A
0.055ohm
SOIC
2W
175°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat