FDS4935BZ

Beim Modell FDS4935BZ handelt es sich um einen zweifachen 30V-p-Kanal-PowerTrench®-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung zu erhalten für eine hervorragende Schaltleistung. Der neueste Leistungs-MOSFET für den mittleren Spannungsbereich ist ein optimierter Leistungsschalter, der eine niedrige Gate-Ladung (QG), eine geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Reverse-Recovery-Body-Diode kombiniert, wodurch ein schnelles Schalten für die Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen gewährleistet wird. Er verfügt über eine Shielded-Gate-Struktur, die für Ladungsausgleich sorgt. Dank dieser fortschrittlichen Technologie ist die Gütezahl (FOM (QGxRDS(ON))) dieses Bausteins um 66% niedriger im Vergleich zur vorherigen Generation. Durch die Leistung der Soft-Recovery-Body-Diode des neuen PowerTrench®-MOSFET können unerwünschte Spannungsspitzen in Synchrongleichrichtungsanwendungen minimiert werden. Dieses Produkt eignet sich für den universellen Einsatz in vielen verschiedenen Anwendungen.

• Erweiterter VGSS-Bereich (-25V) für Batterieanwendungen
• ESD-Schutz, typ.: ± 3.8kV HBM
• Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(on)
• Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit