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FDV301N
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDV301N
Bestellnummer9845011RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds25V
Dauer-Drainstrom Id220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand4ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.06V
Verlustleistung350mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
- Verlustleistung (Pd): 350mW
- Geringer Durchlasswiderstand: 3.1 Ohm bei Vgs = 4.5V
- Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
220mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
350mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
25V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.06V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033