FDV301N

Beim Modell FDV301N handelt es sich um einen digitalen 25V-n-Kanal-FET, der mithilfe der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt wird. Dieser Prozess wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand zu minimieren. Dieser Baustein ist speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für digitale Transistoren ausgelegt. Da keine Vorspannungswiderstände erforderlich sind, kann dieser n-Kanal-FET mehrere verschiedene digitale Transistoren mit verschiedenen Vorspannungswiderstandswerten ersetzen. Dieser universell einsetzbare Transistor eignet sich für viele verschiedene Anwendungen.

• Sehr niedrige Gate-Treiber-Anforderungen ermöglichen direkten Betrieb in 3V-Schaltkreisen (VGS(th) <lt/>1.06V)
• Gate-Source-Zener für ESD-Festigkeit (<gt/>6kV HBM)
• Ersatz mehrerer digitaler NPN-Transistoren mit einem DMOS-FET
• Gate-Source-Spannung (VGSS): 8V
• Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 357°C/W

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.