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NTBL045N065SC1
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBL045N065SC1
Bestellnummer4051293
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 9,160 |
| 5+ | € 8,040 |
| 10+ | € 6,910 |
| 50+ | € 6,170 |
| 100+ | € 5,420 |
| 250+ | € 5,310 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTBL045N065SC1
Bestellnummer4051293
ProduktpaletteEliteSiC Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id73A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.05ohm
Bauform - TransistorH-PSOF
Anzahl der Pins8Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung348W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
73A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.05ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
H-PSOF
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
348W
Produktpalette
EliteSiC Series
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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