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NTJD4152PT1G
Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,116 |
| 9000+ | € 0,114 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNTJD4152PT1G
Bestellnummer2442224
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal20V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal880mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.215ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.215ohm
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal272mW
Verlustleistung, p-Kanal272mW
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.215ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
272mW
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.215ohm
Bauform - Transistor
SOT-363
Verlustleistung, n-Kanal
272mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung