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NXH011F120M3F2PTHG
Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerNXH011F120M3F2PTHG
Bestellnummer4472918
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationVollbrücke
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id105A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorPIM
Anzahl der Pins34Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.4V
Verlustleistung244W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Vollbrücke
Dauer-Drainstrom Id
105A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Anzahl der Pins
34Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.4V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
PIM
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
244W
Produktpalette
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung